商品名稱:SH63N65DM6AG
數(shù)據(jù)手冊:SH63N65DM6AG.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:9-PowerSMD
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
SH63N65DM6AG 器件在半橋拓撲結(jié)構(gòu)中結(jié)合了兩個 MOSFET。ACEPACK SMIT 是一款非常緊湊堅固的電源模塊,采用表面貼裝封裝,便于組裝。由于采用了 DBC 基底面,ACEPACK SMIT 封裝具有較低的熱阻和隔離的頂部散熱墊。該封裝具有很高的設(shè)計靈活性,可通過內(nèi)部電源開關(guān)的不同組合實現(xiàn)多種配置,包括相腳、升壓和單開關(guān)。
特點
通過 AQG 324 認證
半橋功率模塊
650 V 阻塞電壓
快速恢復(fù)體二極管
開關(guān)能量極低
封裝電感低
直接鍵合銅(DBC)基板上的晶粒
熱阻低
隔離額定值為 3.4 kVrms/min
應(yīng)用
開關(guān)應(yīng)用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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STGIPS10K60T
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STM32F030F4P6TR 是高性能 Arm Cortex-M0 32 位 RISC 內(nèi)核,工作頻率為 48 MHz,具有高速嵌入式存儲器(多達 256 Kbytes 閃存和多達 32 Kbytes SRAM)以及大量增強型外設(shè)和 I/O。所有器件都提供標(biāo)準(zhǔn)通信接口(多達兩個 I2C、兩個 SPI 和六個 USART)、一個 12 位 ADC、七…電話咨詢:86-755-83294757
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