商品名稱:CY9AF114LPMC-GE1
數據手冊:CY9AF114LPMC-GE1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:LQFP-64
貨期:全新原裝
庫存數量:2190 件
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CY9AF114LPMC-GE1是高度集成的 32 位微控制器,主要面向高性能和成本敏感型嵌入式控制應用。
CY9AF114LPMC-GE1基于 Arm? Cortex?-M3 處理器、片上閃存和 SRAM,以及電機控制定時器、ADC、通信接口(UART、CSIO、I2C、LIN)等外設功能。
功能特點
32 位 Arm Cortex-M3 內核
? 處理器版本:r2p1
?Up 至 40 MHz 頻率操作
? 集成嵌套向量中斷控制器 (NVIC): 1 NMI(不可屏蔽中斷)和 48 個外設中斷 和 16 個優(yōu)先級
?24 位系統(tǒng)定時器(Sys Tick): 用于操作系統(tǒng)任務管理的系統(tǒng)定時器管理片上存儲器
閃存
?Up 至 512 Kbyte
? 讀取周期: 0 等待周期
?代碼保護安全功能 [SRAM]
該系列包含總計高達 32 Kbyte 的片上 SRAM。
片上 SRAM 由兩個獨立的 SRAM(sram0、sram1)組成。(SRAM0、SRAM1)組成。
SRAM0 連接到 Cortex-M3 內核的 I 代碼總線和 D 代碼總線。SRAM1 連接到系統(tǒng) 總線。
?SRAM0:最多 16 千字節(jié)
?SRAM1: 最多 16 千字節(jié) 多功能串行接口(最多 8 個通道)
?4 通道帶 16 步×9 位 FIFO(通道 4-通道 7),4 通道不帶 FIFO(通道 0-通道 3)。不帶 FIFO(通道 0-通道 3)
型號
品牌
封裝
數量
描述
NXP
LQFP-64
22000
ARM 微控制器 - MCU Kinetis E 32 位 MCU、ARM Cortex-M4 內核、128KB 閃存、48MHz、QFP 64
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IGW75N65H5
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IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應用領域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。技術參數IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。其特征和技術規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設計降低電磁干擾技術規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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