商品名稱:CY7C1312KV18-300BZXC
數(shù)據(jù)手冊:CY7C1312KV18-300BZXC.pdf
品牌:Cypress
年份:1737+
封裝:BGA
貨期:原裝現(xiàn)貨
庫存數(shù)量:1000 件
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CY7C1312KV18-300BZXC QDR-II DDR-II 同步 SRAM 的最高速度為 333MHz,密度高達(dá) 144Mb,讀取延遲為 1.5 或 2.5 個(gè)周期,突發(fā)長度為 2 或 4,采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 165 球 FBGA 封裝. QDR-II 系列還包括雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR-II) 器件。 DDR-II 器件與 QDR-II 器件類似,不同之處在于所有 DDR 器件的突發(fā)長度為 2 和單一數(shù)據(jù)速率地址總線。 此外,DDR-II 可用于 SIO(獨(dú)立 I/O)或 CIO(通用 I/O)選項(xiàng)。 SIO 設(shè)備提供獨(dú)立的讀寫端口,消除了 CIO 設(shè)備中的數(shù)據(jù)總線“周轉(zhuǎn)”時(shí)間。 CIO 設(shè)備為讀取和寫入提供單個(gè)端口,從而減少了所需的數(shù)據(jù)引腳連接數(shù)。
規(guī)格參數(shù)
存儲(chǔ)器類型 易失
存儲(chǔ)器格式 SRAM
技術(shù) SRAM - 同步,QDR II
存儲(chǔ)容量 18Mb(1M x 18)
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
時(shí)鐘頻率 300 MHz
寫周期時(shí)間 - 字,頁 -
電壓 - 供電 1.7V ~ 1.9V
工作溫度 0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型 表面貼裝型
封裝/外殼 165-LBGA
供應(yīng)商器件封裝 165-FBGA(13x15)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA-24
3000
FLASH,DRAM 存儲(chǔ)器 IC 512Mb(閃存),64Mb(RAM) 并聯(lián) 100 MHz 24-FBGA(6x8)
INFINEON
BGA-24
3000
FLASH,DRAM 存儲(chǔ)器 IC 256Mb(閃存),64Mb(RAM) 并聯(lián) 100 MHz 24-FBGA(6x8)
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Cypress公司是一家知名的電子芯片制造商,其中文名稱為——賽普拉斯。 賽普拉斯在紐約股票交易所上市,在數(shù)據(jù)通信、消費(fèi)類電子等廣泛領(lǐng)域均提供芯片解決方案。公司生產(chǎn)高性能IC產(chǎn)品,用于數(shù)據(jù)傳輸、遠(yuǎn)程通訊、PC和軍用系統(tǒng)。公司1982年成立,是一家國際化大公司。目前約有…
CY8C5667LTI-LP041
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