NCIV9401R2是一款帶輸出使能的電隔離高速四通道數字隔離器。它采用安森美半導體專利的電隔離片外電容技術和優(yōu)化的集成電路設計,實現了高絕緣和高抗噪能力,具有高共模抑制和電源抑制規(guī)格。厚陶瓷基板產生的電容器厚度約為片上薄膜電容器和無芯變壓器的 25 倍。該器件采用 16 引腳寬體小外形封裝,兼具數字隔離器的電氣性能優(yōu)勢和大于 0.5 毫米絕緣體屏障的安全可靠性。
產品屬性
技術: 容性耦合
類型: I2C,SPI
隔離式電源: 是
通道數: 4
輸入 - 側 1/側 2: 4/0
通道類型: 單向
電壓 - 隔離: 5000Vrms
共模瞬變抗擾度(最小值): 100kV/μs
數據速率: 10Mbps
傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值): 200ns,200ns
脈寬失真(最大): 80ns
上升/下降時間(典型值): 3ns,2ns
電壓 - 供電: 2.5V ~ 5.5V
等級: 汽車級
資質: AEC-Q100
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 16-SOIC(0.295",7.50mm 寬)
供應商器件封裝: 16-SOIC
典型應用
? 隔離式 PWM 控制
? 工業(yè)現場總線通信
? 微處理器系統接口(SPI、I2C 等)
? 可編程邏輯控制
? 隔離式數據采集系統
? 電壓電平轉換器
型號
品牌
封裝
數量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數:FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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