IPDD60R050G7是英飛凌現創(chuàng)新推出雙 DPAK (D-DPAK),這是首款頂部冷卻 SMD 封裝,主要面向大功率 SMPS 應用,如 PC 電源、太陽能、服務器和電信設備等應用。
特性
提供一流的 FOM RDS(on) x Eoss 和 RDS(on) x Qg
創(chuàng)新的頂部散熱理念;
內置第 4 引腳開爾文源配置和低寄生源電感;
超過 2000 周期的 TCOB 能力,符合 MSL1 標準,完全無鉛等
IPDD60R050G7產品屬性:
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: HDSOP-10
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 47 A
Rds On-漏源導通電阻: 50 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 68 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 278 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時間: 3 ns
上升時間: 6 ns
典型關閉延遲時間: 72 ns
典型接通延遲時間: 22 ns
型號
品牌
封裝
數量
描述
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