商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-HSOF-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
IMT65R060M2H是(Infineon)推出的一款CoolSiC? MOSFET,屬于650V G2代產(chǎn)品,采用TOLL封裝,導(dǎo)通電阻為60m???。IMT65R060M2H在設(shè)計(jì)上克服了傳統(tǒng)封裝在熱循環(huán)方面的限制,并通過(guò)改進(jìn)的.xt互聯(lián)技術(shù)降低了熱阻,從而能夠充分利用碳化硅(SiC)材料的優(yōu)勢(shì),同時(shí)保持較小的尺寸,適合高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景?。
IMT65R060M2H 參數(shù)
封裝/箱體:HSOF-8
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:41.4 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:73 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 7 V, + 23 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:5.6 V
Qg-柵極電荷:19 nC
工作溫度:- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散:208 W
通道模式:Enhancement
商標(biāo):Infineon Technologies
配置:Single
下降時(shí)間:4.8 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:SiC MOSFETS
上升時(shí)間:5.6 ns
晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13.7 ns
典型接通延遲時(shí)間:6.3 ns
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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