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CY7C1021DV33-10VXI是一款高性能 CMOS 靜態(tài) RAM，以 65,536 字 16 位組織。該器件具有自動掉電功能，在取消選擇時可顯著降低功耗。通過將芯片使能（CE）和寫入使能（WE）輸入置低來完成對該器件的寫入。如果低字節(jié)使能（BLE）為低，則 I/O 引腳（I/O0 至 I/O7）中的數據將寫入地址引腳（A0 至 A15）上指定的位置。如果字節(jié)高電平使能（BHE）為低電平，則 I/O 引腳（I/O8 至 I/O15）的數據將寫入地址引腳（A0 至 A15）指定的位置。通過將芯片使能（CE）和輸出使能（OE）置低，同時將寫入使能（WE）置高，可實現從設備讀取數據。如果低字節(jié)使能（BLE）為低，則地址引腳指定的內存位置的數據將顯示在 I/O0 至 I/O7 上。如果字節(jié)高電平使能（BHE）為低，則內存中的數據將顯示在 I/O8 至 I/O15 上。

特性

溫度范圍

? 工業(yè)：-40 °C 至 85 °C

? 汽車-A：-40 °C 至 85 °C

引腳和功能與 CY7C1021CV33 兼容

高速

? tAA = 10 ns

低功耗

? ICC = 60 mA @ 10 ns

低 CMOS 待機功耗

ISB2 = 3 mA

2.0 V 數據保持

取消選擇時自動斷電

CMOS 實現最佳速度/功耗

上下位獨立控制

CY7C1021DV33-10VXI 產品屬性

產品種類: 靜態(tài)隨機存取存儲器

存儲容量: 1 Mbit

組織: 64 k x 16

訪問時間: 10 ns

最大時鐘頻率: 100 MHz

接口類型: Parallel

電源電壓-最大: 3.6 V

電源電壓-最小: 3 V

電源電流—最大值: 60 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOJ-44

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