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BSC020N03MSG是一款 N 溝道功率 MOSFET，采用 OptiMOS? 技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，封裝形式為 TDSON-8（5x6mm），適用于多種高效功率應(yīng)用。

BSC020N03MSG 產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 25 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.7 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Qg-柵極電荷: 60 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 96 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

配置: Single

下降時間: 14 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 60 S

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

產(chǎn)品類型: MOSFETs

上升時間: 14 ns

系列: OptiMOS 3M

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 36 ns

典型接通延遲時間: 27 ns

BSC020N03MSG 優(yōu)點

延長電池壽命

改善 EMI 性能，使外部緩沖網(wǎng)絡(luò)不再適用

節(jié)省成本

節(jié)省空間

減少功率損耗

潛在應(yīng)用

板載充電器

筆記本電腦

主板

直流-直流

VRD/VRM

電機控制

發(fā)光二極管

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