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英飛凌N 溝道功率 MOSFET(IPW60R120P7)600V CoolMOS? P7 超級結 (SJ) MOSFET

英飛凌N 溝道功率 MOSFET(IPW60R120P7)600V CoolMOS? P7 超級結 (SJ) MOSFET

來源:本站時間:2025-02-20瀏覽數(shù):

深圳市明佳達電子提供英飛凌N 溝道功率 MOSFET(IPW60R120P7)600V CoolMOS? P7 超級結 (SJ) MOSFET,CoolMOS? 第 7 代平臺同類最佳的 R onxA 和固有的低柵極電荷 (Q G) 確保了它的高效率。功能概述特點-適用于硬開關和軟開關(PFC 和 LLC),具有出色的換向強度-顯著降…

深圳市明佳達電子提供英飛凌N 溝道功率 MOSFET(IPW60R120P7)600V CoolMOS? P7 超級結 (SJ) MOSFET,CoolMOS? 第 7 代平臺同類最佳的 R onxA 和固有的低柵極電荷 (Q G) 確保了它的高效率。


功能概述

特點

-適用于硬開關和軟開關(PFC 和 LLC),具有出色的換向強度

-顯著降低開關和傳導損耗

-對所有產品而言,ESD 穩(wěn)定性均優(yōu)于 2kV(HBM)

-較低的 RDS(on)*A(低于 1 歐姆*mm2)使 RDS(on)/封裝產品優(yōu)于同類產品

-通過 JEDEC 工業(yè)應用認證


優(yōu)點

-通過在全功率變流器和全功率調制器級之間降低繞組頻率和使用率,實現(xiàn)輕松使用和快速設計

-簡化了熱管理,從而降低了開關和傳導損耗

-通過使用具有更小尺寸和更大尺寸的產品,實現(xiàn)了功率密度更高的解決方案。

 通過使用具有更小尺寸和更高制造質量的產品來實現(xiàn)更高的功率密度解決方案,從而實現(xiàn)>2kVESD 保護

-適用于各種應用和功率范圍


潛在應用

PFC 級、硬開關 PWM 級和諧振開關級,例如 PCSilverbox、適配器、LCD&PDPTV、照明、服務器、電信和 UPS。


參數(shù):IPW60R120P7

ID (@25°C) 最大: 29 A

ID 最大: 29 A

IDpuls 最大: 78 A

安裝: THT

工作溫度 最小值 最大值: -55 °C 150 °C

最大功率: 95 W

封裝: TO247

引腳數(shù): 3 引腳

極性: N

QG(典型值 @10V): 36 nC

QG: 36 nC

Qgd: 11 nC

RDS (接通) (@10V) 最大: 120 mΩ

RDS (接通) 最大值: 120 mΩ

Rth: 1.31 K/W

RthJA 最大: 62 K/W

RthJC 最大: 1.31 K/W

VDS 最大: 600 V

VGS(th) 最小值 最大值: 3.5 V 3 V 4 V

IPW60R120P7.jpg

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