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Winbond內存芯片 W632GU6MB-12 動態(tài)隨機存取存儲器 2Gb DDR3L 1.35V

Winbond內存芯片 W632GU6MB-12 動態(tài)隨機存取存儲器 2Gb DDR3L 1.35V

來源:本站時間:2023-10-26瀏覽數:

深圳市明佳達電子有限公司原裝現貨出售Winbond W632GU6MB-12 動態(tài)隨機存取存儲器 IC 2Gb 并聯 800 MHz 20 ns 96-VFBGA(7.5x13)制造商:Winbond Electronics產品型號:W632GU6MB-12年份:1822+描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA產品屬性產品種類: 動態(tài)隨機存取存儲器…

深圳市明佳達電子有限公司原裝現貨出售Winbond W632GU6MB-12 動態(tài)隨機存取存儲器 IC 2Gb 并聯 800 MHz 20 ns 96-VFBGA(7.5x13)


制造商:Winbond Electronics

產品型號:W632GU6MB-12

年份:1822+

描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA


產品屬性

產品種類: 動態(tài)隨機存取存儲器  

類型: SDRAM - DDR3L  

安裝風格: SMD/SMT  

封裝 / 箱體: VFBGA-96  

數據總線寬度: 16 bit  

組織: 128 M x 16  

存儲容量: 2 Gbit  

最大時鐘頻率: 800 MHz  

電源電壓-最大: 1.45 V  

電源電壓-最小: 1.283 V  

電源電流—最大值: 145 mA  

最小工作溫度: 0 C  

最大工作溫度: + 95 C  

系列: W632GU6MB   

濕度敏感性: Yes  

產品類型: DRAM  

工廠包裝數量: 198  

子類別: Memory & Data Storage


華邦 DRAM 產品組合

華邦的 DRAM 產品組合包括適用于消費、通信、外設、工業(yè)和汽車市場的移動 RAM 和專用 DRAM。特種 DRAM 具有高性能和高速度的特點,可提供完整的解決方案。SDR、DDR、DDR2 和 DDR3 具有 AEC-Q100、TS16949、ISO9001/14001、OHSAS18001 認證,支持工業(yè)和汽車應用。Winbond 為 KGD 客戶提供專業(yè)建議,包括 SiP 封裝接合和電源/熱、DRAM 仿真、晶圓級速度測試等。


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