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深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) TI TPS53830RWZR 用于 DDR5 DIMM 板載電源的集成降壓型數(shù)字轉(zhuǎn)換器

TPS53830RWZR 產(chǎn)品描述

TPS53830RWZR 是 D-CAP+? 模式集成降壓轉(zhuǎn)換器，用于 DDR5 DIMM 上供電。TPS53830RWZR 為 DIMM 模塊上的 DRAM 芯片提供 VDD、VDDQ 和 VPP 電壓，并具有可配置的電流能力。大電流軌可配置為 2 相或 2 個(gè)輸出，通過(guò) D-CAP+? 模式控制提供高達(dá) 12 A（或 6 A + 6 A）的電流。TPS53830RWZR 轉(zhuǎn)換器還采用內(nèi)部補(bǔ)償，便于使用并減少外部元件。

TPS53830RWZR 轉(zhuǎn)換器提供全套遙測(cè)功能，包括輸入電壓、輸出電壓和輸出電流，還提供過(guò)壓、欠壓、過(guò)流限制和過(guò)溫保護(hù)。

TPS53830RWZR 采用熱增強(qiáng)型 35 引腳 QFN 封裝，工作溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。

TPS53830RWZR 的規(guī)格

輸出電流：6 A

輸入電壓 - 最大值：15 V

最低輸入電壓：4.5 V

最低工作溫度：- 40 C

最高工作溫度：+ 105 C

輸入電壓范圍：4.5 V 至 15 V

TPS53830RWZR 的特性

支持 DDR5 應(yīng)用的單硅設(shè)計(jì)

3 個(gè)輸出，提供 VDD (1.1V)、VDDQ (1.1V) 和 VPP (1.8V)，可選第 4 個(gè)輸出 (VDD2)

對(duì)于 3 路輸出，VDD（SWA 雙相）為 12 A，VDDQ（SWC）為 6 A，VPP（SWD）為 5 A。

對(duì)于 4 個(gè)輸出端，VDD1(SWA) 6 A、VDD2(SWB) 6 A、VDDQ(SWC) 6 A 和 VPP(SWD) 5 A

差分遙感： VDD、VDDQ 和 VPP

D-CAP+? 控制，實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)

寬輸入電壓：4.5 V 至 15 V

可編程內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償

每相逐周期電流限制

可編程頻率：500 kHz 至 1.375 MHz

支持 I2C 和 I3C 總線(xiàn)接口，用于遙測(cè)電壓、電流、功率、溫度和故障情況

過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)熱保護(hù)

持久寄存器（黑盒）功能

低靜態(tài)電流

5 毫米 × 5 毫米、35 引腳、QFN PowerPad? 封裝

TPS53830RWZR 的應(yīng)用

用于服務(wù)器的 DDR5 DIMM 板載電源

TPS53830RWZR 的優(yōu)勢(shì)

高效率

TPS53830RWZR 采用同步降壓設(shè)計(jì)，轉(zhuǎn)換效率高，能量損耗小，適用于要求高效率的應(yīng)用。

寬輸入電壓范圍

TPS53830RWZR 具有寬輸入電壓范圍，因此適用于各種電源環(huán)境，靈活性高。

高輸出電流

TPS53830RWZR 支持高輸出電流，可滿(mǎn)足高功率要求，適用于高負(fù)載應(yīng)用。

高集成度

TPS53830RWZR 內(nèi)置 MOSFET 和控制器，可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并減少外部元件，從而節(jié)省空間和成本。

優(yōu)異的熱性能

TPS53830RWZR 采用熱增強(qiáng)型封裝，具有良好的散熱性能，適用于高溫環(huán)境。

全面的保護(hù)功能

TPS53830RWZR 提供多種保護(hù)功能，如過(guò)流、過(guò)壓、欠壓和過(guò)熱保護(hù)，以提高系統(tǒng)可靠性。

靈活的設(shè)計(jì)

TPS53830RWZR 支持可調(diào)輸出電壓和頻率，以滿(mǎn)足不同的設(shè)計(jì)要求。

小尺寸封裝

TPS53830RWZR 采用緊湊型封裝，適用于空間受限的應(yīng)用。

低靜態(tài)電流

低靜態(tài)電流適用于電池供電設(shè)備，延長(zhǎng)了 TPS53830RWZR 的電池壽命。

符合環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)

TPS53830RWZR 符合 RoHS 和其他環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。