今日，英飛凌推出N 溝道 OptiMOS? 功率 MOSFET—IPB038N12N3G 是領先的功率 MOSFET，可提供最高功率密度和高能效解決方案。超低的柵極和輸出電荷，以及小尺寸封裝中最低的導通電阻，使其成為滿足服務器、數(shù)據(jù)通信和電信應用中穩(wěn)壓器解決方案苛刻要求的理想選擇。超快開關…
今日，英飛凌推出N 溝道 OptiMOS? 功率 MOSFET—IPB038N12N3G 是領先的功率 MOSFET，可提供最高功率密度和高能效解決方案。超低的柵極和輸出電荷，以及小尺寸封裝中最低的導通電阻，使其成為滿足服務器、數(shù)據(jù)通信和電信應用中穩(wěn)壓器解決方案苛刻要求的理想選擇。超快開關控制 FET 和低 EMI 同步 FET 可提供易于設計的解決方案。英飛凌 N 溝道 OptiMOS? 功率 MOSFET 可提供出色的柵極電荷，并針對 DC-DC 轉換進行了優(yōu)化。
介紹
120V OptiMOS? 系列提供業(yè)內(nèi)最低導通電阻和最快開關性能，適用于各種應用，支持實現(xiàn)卓越性能。120V OptiMOS? 技術帶來全新可能性，幫助實現(xiàn)優(yōu)化解決方案。
特征描述
優(yōu)異的開關性能
世界較低的 (R Ds(on))
極低的 Qg 和 Qgd
出色的柵極電荷 x R DS（on）產(chǎn)品（FOM）
符合 RoHS - 無鹵素
MSL1 評級 2
規(guī)格
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 120 V
Id-連續(xù)漏極電流: 120 A
Rds On-漏源導通電阻: 3.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 211 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
系列: OptiMOS 3
配置: Single
下降時間: 21 ns
正向跨導 - 最小值: 83 S
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 52 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 70 ns
典型接通延遲時間: 35 ns
寬度: 9.25 mm
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