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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

C3M0060065D

產(chǎn)品說明：N 溝道增強型碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0045065K

產(chǎn)品說明：N 溝道增強型碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0021120D

產(chǎn)品說明：N 溝道增強型碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
E4M0060075K1

產(chǎn)品說明：汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝：TO-247-4
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
E4M0045075K1

產(chǎn)品說明：汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝：TO-247-4
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
HAS350M12BM3

產(chǎn)品說明：碳化硅（SiC）模塊 1200V 350A 底座安裝，62 mm, 半橋

封裝：Module
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
HAS530M12BM3

產(chǎn)品說明：碳化硅（SiC）模塊 1200V 530A 底座安裝，62 mm, 半橋

封裝：Module
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CHB011M12GM4

產(chǎn)品說明：1200 V, 11 mΩ, GM, T型, 工業(yè)級碳化硅（SiC）模塊

封裝：Module
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB004M12GM4

產(chǎn)品說明：1200 V, 4 mΩ, GM, 半橋，工業(yè)級碳化硅（SiC）模塊

封裝：Module
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
HAS310M17BM3

產(chǎn)品說明：1700V 310A 碳化硅半橋模塊

封裝：模塊
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB6R0A23GM4T

產(chǎn)品說明：2300V 6.0 mΩ 碳化硅半橋模塊

封裝：模塊
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB7R5A23GM4T

產(chǎn)品說明：2300V 7.5 mΩ 碳化硅半橋模塊

封裝：模塊
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB5R0A23GM4T

產(chǎn)品說明：2300V 5.0 mΩ 碳化硅半橋模塊

封裝：模塊
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0280090J

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 900 V 11A（Tc） 50W（Tc） TO-263-7

封裝：TO-263-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0160120D

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 17A（Tc） 97W（Tc） TO-247-3

封裝：TO-247-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0350120J

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 7.2A（Tc） 40.8W（Tc） TO-263-7

封裝：TO-263-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
共153記錄?上一頁1234...10下一頁?
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