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ADI LTC4449IDCB 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為一家在電子元器件領(lǐng)域有著豐富經(jīng)驗(yàn)和良好信譽(yù)的公司。長(zhǎng)期供應(yīng) ADI LTC4449IDCB 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，為電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來(lái)高性能、高可靠性的解決方案。

LTC4449IDCB 產(chǎn)品描述

LTC4449IDCB 是一款高頻柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的兩個(gè) N 溝道 MOSFET。強(qiáng)大的軌至軌驅(qū)動(dòng)器功能可降低具有高柵電容的 MOSFET 的開(kāi)關(guān)損耗。

LTC4449IDCB 為輸入邏輯提供獨(dú)立電源，以匹配控制器 IC 的信號(hào)擺幅。如果輸入信號(hào)未被驅(qū)動(dòng)，LTC4449IDCB 將激活關(guān)斷模式，關(guān)閉兩個(gè)外部 MOSFET。輸入邏輯信號(hào)在內(nèi)部電平轉(zhuǎn)換至自舉電源，在高達(dá) 42V 的接地電壓下工作。

LTC4449IDCB 在驅(qū)動(dòng)器和邏輯電源上都包含欠壓鎖定電路，當(dāng)出現(xiàn)欠壓條件時(shí)，可關(guān)閉外部 MOSFET。該器件還內(nèi)置了自適應(yīng)擊穿保護(hù)功能，以防止 MOSFET 跨導(dǎo)電流造成功率損耗。

LTC4449IDCB 采用 2mm × 3mm DFN 封裝。

LTC4449IDCB 規(guī)格

產(chǎn)品： MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器

類(lèi)型： 高壓側(cè)、低壓側(cè) 高壓側(cè)、低壓側(cè)

安裝方式： SMD/SMT SMD/SMT

封裝/外殼 DFN-8

驅(qū)動(dòng)器數(shù)量：2 驅(qū)動(dòng)器

輸出數(shù)：2 輸出

輸出電流：4.5 A

電源電壓 - 最低 4 V

電源電壓 - 最大值： 6.5 V

上升時(shí)間：8 ns

下降時(shí)間：7 ns

最低工作溫度：- 40 ℃

最高工作溫度 + 125 ℃

輸入電壓 - 最大值： 38 V

工作電源電流： 730 uA

LTC4449IDCB 的特性

4V 至 6.5V VCC 工作電壓

38V 最大輸入電源電壓

自適應(yīng)擊穿保護(hù)

軌至軌輸出驅(qū)動(dòng)器

3.2A 峰值上拉電流

4.5A 峰值下拉電流

8ns TG 上升時(shí)間（驅(qū)動(dòng) 3000pF 負(fù)載

7ns TG 下降時(shí)間，驅(qū)動(dòng) 3000pF 負(fù)載

獨(dú)立供電以匹配 PWM 控制器

驅(qū)動(dòng)雙 N 溝道 MOSFET

欠壓鎖定

扁平 (0.75mm) 2mm × 3mm DFN 封裝

LTC4449IDCB 的應(yīng)用

LTC4449IDCB 的出色性能使其能夠用于各種應(yīng)用。在高效率降壓或升壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中，LTC4449IDCB 憑借其強(qiáng)大的柵極驅(qū)動(dòng)能力和低開(kāi)關(guān)損耗，可顯著提高電源轉(zhuǎn)換效率，為設(shè)備提供穩(wěn)定可靠的電源。在汽車(chē)電子領(lǐng)域，面對(duì)復(fù)雜的電氣環(huán)境和對(duì)電源穩(wěn)定性的高要求，LTC4449IDCB 的高耐壓、高驅(qū)動(dòng)能力和保護(hù)功能可確保汽車(chē)電子系統(tǒng)的正常運(yùn)行。在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中，LTC4449IDCB 的快速響應(yīng)和高可靠性可以滿(mǎn)足設(shè)備對(duì)電源快速切換和穩(wěn)定輸出的需求，提高設(shè)備的效率和穩(wěn)定性。